În acest moment cele mai în vogă chipseturi sunt cele de 10 nm de pe terminalele mobile, dar pe viitor vom trece la un proces de producţie de 7 nm. Samsung se gândeşte şi la cel de 4 nm deja şi a detaliat abordarea sa viitoare prin intermediul unui roadmap.
Toată această evoluţie păstrează Legea lui Moore, care spune că numărul de tranzistori pe inch pătrat de pe circuitele integrate se dublează odată la 2 ani. Ei bine, în cadrul Samsung Foundry Forum am aflat că următorul pas al celor de la Samsung este să producă chipseturi de 8 nm şi 7 nm pentru început, folosind procesul Low Power Plus. Acesta va fi primul care foloseşte litografie Extreme Ultra Violet, utilizată pentru a grava designul circuitelor pe silicon.
Urmează trecerea la la 6 nm, care va aduce soluţia Smart Scaling şi un consum ultra redus. De acolo se trece la 5 nm, cu noua generaţie de Low Power Plus şi în cele din urmă la ţinta de 4 nm. Acele chipseturi vor fi primele care folosesc arhitectura next gen cunoscută ca Multi Bridge Channel FET. Varianta Samsung este Gate all Around FET, care depăşeşte limitările fizice şi de scaling ale arhitecturii FinFET.
Va dura totuşi ceva timp până trecem de la 10 nm la 4 nm şi totul se va face în etape. La final vom avea un chipset mai compact, mai performant şi cu consum redus de energie. Şi vom fi cu un pas mai aproape de Quantum Computing.
