Samsung a anunţat în această săptămână o realizare tehnologică, care va îmbunătăţi semnificativ autonomia bateriei pe viitoarele sale telefoane. Compania sud coreeană a prezentat viitorul procesoarelor sale pentru mobil în cadrul Samsung Foundry Forum 2019, eveniment organizat în Santa Clara, California.
Samsung ar fi găsit o metodă de a integra componente electronice vitale într-un format de doar 3 nanometri. Va creşte astfel performanţa cu 35%, iar consumul va scădea cu 50%. Economisirea de energie şi creşterea de performanţă vin din reducerea mărimii cipului cu 45%. În acest moment suntem în epoca procesoarelor de 7 nanometri, precum Qualcomm Snapdragon 855, Kirin 980 şi Apple A12 Bionic.
Samsung a declarat că se află în faţa celor de la TSMC cu 12 luni, când vine vorba de noul proces de producţie Gate All Around (GAA). Asta în vreme ce Intel ar fi în spatele Samsung cu 2-3 ani chiar. Rezultatul? Un System on Chip de 3 nanometri, care va fi folosit pe telefoane, tablete şi alte terminale mobile şi va intra în teste în anul 2020, în vreme ce producţia în masă începe în 2021.
O variantă cu performanţa şi mai ridicată, cu GPU şi AI pentru data centere va sosi în 2022. Samsung Galaxy S12, telefonul flagship aşteptat în 2021 ar putea fi primul care beneficiază de noile cipuri. Huawei, Qualcomm şi Apple vor trebui să ajungă Sammy din urmă, mai ales că se promite o autonomie mult sporită faţă de excelentul deja Galaxy S10.
În plus Samsung îşi va permite să scadă şi talia telefonului şi să creeze pliabilele mai uşor. Ştiu că TSMC lucra de ceva vreme la procesoare de 5 nm, dar nu era încă gata de 3 nm.
