Qualcomm nu se sfieşte să crească hype-ul legat de procesorul său flagship, Snapdragon 835, bazat pe tehnologie de 10 nm şi co-dezvoltat cu Samsung. Spre exemplu în această săptămână au prezentat chipsetul în China, oferind şi câteva detalii despre benchmark-urile sale şi rezultatele atinse.
Urmaş al lui Snapdragon 820 şi 821, acest chipset a ajuns deja pe prototipuri pentru benchmark şi rezultatele sună bine. Primul salt ce trebuie menţionat e cel la nivel de core-uri. Snapdragon 821 avea 4 core-uri custom, în vreme ce S835 are 8 core-uri, dintre care 4 Cortex A73 modificate şi 4 Cortex A53 nemodificate. La testul GeekBench, Snapdragon 835 ajunge rapid în vârful ierarhiei, depăşindu-l cu mult pe Snapdragon 820 de pe Galaxy S7 şi cu puţin şi pe Kirin 960 de pe Huawei P10.
Diferenţa se vede cel mai clar în zona multi core, faţă de cea single core, unde creşterea e minoră. În AnTuTu diferenţele sunt ceva mai clare, chipsetul apropiindu-se de pragul de 200.000 de puncte, în vreme ce OnePlus 3T rămâne cantonat puţin peste 150.000-160.000. Primim şi un GPU de nouă generaţie, Adreno 540, care ar trebui să ofere un salt la nivel grafic de 25%, faţă de predecesor.
Acest lucru e confirmat de GFXBench, cu creşteri generalizate în toate sub testele şi mai ales în T Rex pentru noul venit. Nici în 3D Mark Slingshot Unlimited nu stă rău noul CPU, depăşind toţi rivalii şi parand aproape a dubla unele scoruri faţă de Huawei P10. Evident privim testele cu precauţie şi aşteptam varianta finală.
