Nu doar smartphone-urile debutează mai devreme, ci şi componentele lor. Dacă se zvoneşte că Galaxy S23 ar putea sosi în decembrie, ei bine Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 vine chiar luna viitoare. Am văzut deja scăpări legate de nucleele sale, iar acum avem detalii despre răcirea sa.
Între 14 şi 17 noiembrie Qualcomm ține un eveniment în Hawaii, acolo unde va prezenta noul procesor flagship, Snapdragon 8 Gen 2. Conform zvonacului Ice Universe avem şi primele detalii despre performanţă. Se pare că noul cipset va aduce un salt de performanţă de 10% faţă de Snapdragon 8+ Gen 1, o eficienţă energetică sporită cu 15% şi un salt la nivel de GPU de 20%. Performanţa la nivel de AI va creşte cu 10%, iar performanţa de procesare foto va creşte semnificativ.
Sursa mai scrie şi că Gen 2 va rezolva orice problemă de încălzire sau supraîncălzire. Se pare că producătorii de telefoane au primit cipul în avans şi au făcut deja teste, constatând o eficienţă energetică mai bună cu cel puţin 15%. Snapdragon 8 Gen 1 era mare consumator de baterie şi lucrurile s-au mai reparat cu Snapdragon 8+ Gen 1. Încă o evoluţie ar fi binevenită. Se pare că tot TSMC va produce viitorul cipset şi tot pe baza unei tehnologii de 4 nm. Noul SoC va avea 8 nuclee, cu setup 1+2+2+3. Cortex X3 va fi super nucleul pentru performanţă, upgrade de la Cortex X2, cu performanţa superioară cu 22%.
Modemul cel nou X70 5G va suporta viteze de download de până la 10 Gbps. GPU-ul trece de la un Adreno 730 la un Adreno 740, iar scorul în AnTuTu ar sări de 1.2 milioane de puncte. Xiaomi 13 ar fi în pole position să inaugureze acest CPU.
